شرکت پیشرو در زمینه حافظه DRAM در چین، یعنی CXMT، تولید انبوه را با استفاده از نسل پنجم فناوری پردازش DRAM خود آغاز کرده است.
شرکت CXMT میگوید که فناوری پردازش جدید خود — که این شرکت آن را G5 مینامد — فاصله نیمهپیچ ناحیه فعال DRAM را با استفاده از لیتوگرافی الگوبرداری چهارتایی به 11.95nm کاهش میدهد. این نیمهپیچ 11.95nm با یک پیچ ناحیه فعال 23.9nm مطابقت دارد، چیزی که این بعد خاص را تقریباً در محدوده سایر فناوریهای پیشرفته 10nm-class DRAM قرار میدهد. با این حال، نمیتوان آن را مستقیماً به نامگذاری گره سنتی DRAM ترجمه کرد. به طور جداگانه، CXMT میگوید فرآیند دروازه فلزی high-K (HKMG) بهینهشده با DRAM، ارتفاع آرایه سلول اصلی را به 6,762nm کاهش داده است.
این شرکت همچنین میگوید که جریان فرآیند خود را تغییر داده و مواد جدید نامشخصی را معرفی کرده است تا خازنهای ذخیرهسازی با نسبت منظری عمق به عرض حدود 45:1 را فعال کند. این رقم مطمئناً برای مقایسه مستقیم با فناوریهای پردازش رقیب DRAM دشوار است، اما شرکت SK hynix میگوید که نسبتهای منظر خازن در نهایت با کاهش ابعاد بحرانی DRAM به زیر 10nm باید از 100:1 فراتر روند.
نسبت منظر 45:1 به این معنی است که خازنهای ذخیرهسازی CXMT چهل و پنج برابر عمیقتر از عرضشان هستند، و این همان چیزی است که به شرکت اجازه میدهد مساحت سلول DRAM را کاهش دهد و آرایههای حافظه بیشتری را روی یک ویفر قرار دهد و ظرفیت قابل پیشبینی را خردهفروشی کند. با این حال، نسبتهای منظر بهطور فزایندهای بالا، اچ کردن، رسوبگذاری، پایداری مکانیکی، و در نهایت تولید با بازدهی بالا را به طور قابل توجهی چالشبرانگیزتر میکند.
اولین دستگاههای تولید انبوه فاش شده با استفاده از G5 دستگاههای 24Gb LPDDR5X گفته میشوند که در حال حاضر وارد تولید انبوه شدهاند. این تراشهها 50% ظرفیت بیشتری نسبت به محصولات قابل مقایسه قبلی CXMT ارائه میدهند و در دو فرمت بستهبندی برای طرحهای مختلف دستگاههای تلفن همراه در دسترس هستند. بر اساس گزارش چینی، محصولات 24Gb LPDDR5X در حال حاضر وارد گوشیهای هوشمند پرچمدار اصلی چین میشوند.
هشدار نانومتری؟
در همین حال، چند هشدار مهم وجود دارد.
اول از همه، رقم 11.95nm شرکت CXMT نشاندهنده نیمهپیچ ناحیه فعال به جای نامگذاری گره پردازشی سنتی است، بنابراین نامیدن G5 به عنوان یک فرآیند 12nm در بهترین حالت یک سادهسازی بزرگ است.
ثانیاً، دو بعد فیزیکی آشکار شده به معنای برابری تکنولوژیکی با آخرین فرآیندهای DRAM شرکتهای Micron، سامسونگ (Samsung) و SK hynix نیست، زیرا چگالی، مقیاسگذاری خازن، مشخصات ترانزیستور، مصرف برق و، مسلماً مهمترین چیز وقتی صحبت از کالاها به میان میآید، بازده اهمیت دارد.
ثالثاً، CXMT میگوید G5 حداقل 50% قالبهای ناخالص بیشتری در هر ویفر نسبت به G4 فراهم میکند، اما بدون اعداد واقعی، این منسوخ است. شرکت CXMT همچنین بازدهی را فاش نکرد، که تعیین افزایش بهرهوری را غیرممکن میکند، چه رسد به قالبهای سالم شناخته شده یا هزینه ساخت واقعی در هر بیت. باز هم، حتی یک گره DRAM ادعا شده در کلاس 11.95 یک دستاورد است.
منبع: tomshardware.com