تعهد غول‌های تراشه‌سازی به فناوری پیشرفته ASML تا سال ۲۰۲۸

شرکت‌های بزرگ تراشه‌سازی مانند سامسونگ و تایوان سمیکانداکتور مانفکتچرینگ (TSMC) متعهد شده‌اند که تا سال‌های آینده از فناوری تولید نسل بعدی شرکت ASML استفاده کنند.

تتیم تحریریه۳ دقیقه مطالعه۰ بازدید۱۰ روز پیش
تعهد غول‌های تراشه‌سازی به فناوری پیشرفته ASML تا سال ۲۰۲۸

شرکت سامسونگ (Samsung) بنا بر اعلام تنها سازنده دستگاه‌های لیتوگرافی فرابنفش حدکثر (EUV) در جهان (به نقل از بلومبرگ (Bloomberg))، آماده است تا از جدیدترین دستگاه‌های High NA EUV شرکت ASML برای «تولید انبوه» تا سال ۲۰۲۸ استفاده کند و شرکت TSMC نیز قصد دارد همینa کار را از سال ۲۰۳۰ انجام دهد.

عبارت High NA EUV مخفف «فرابنفش حدی با دیافراگم عددی بالا» (High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet) است و به بالاترین سطح فناوری تراشه‌سازی موجود در پیشرفته‌ترین دستگاه‌های شرکت ASML اشاره دارد. این فناوری به مدت کوتاهی توسط شرکت اینتل (Intel) و شرکت اس‌کی هاینایکس (SK hynix) مورد استفاده فعال قرار گرفته است. این فناوری به دلیل نحوه ساده‌سازی فرآیند تراشه‌سازی و حذف برخی مراحل تولید، امکان تولید سریع‌تر و بازدهی بالاتری را فراهم می‌کند. همچنین ویفرهای متراکم‌تری را تولید می‌کند.

طبق گزارش بلومبرگ (Bloomberg)، شرکت ASML همچنین با شرکت‌های سامسونگ (Samsung)، شرکت TSMC، انویدیا (Nvidia) و اپل (Apple) همکاری خواهد کرد تا از فتوماسک‌های ۶ اینچی به ماسک‌های ۱۲ اینچی منتقل شوند، هرچند که من فقط می‌توانم اطلاعیه‌های رسمی شرکت ASML را برای سه مورد اول ببینم. این‌ها طرح‌هایی هستند که اپتیک‌های EUV برای حک کردن طرح‌های تراشه روی ویفرها از آن‌ها عبور می‌کنند و افزایش ماسک به ۱۲ اینچ به این معناست که بخش بیشتری از یک ویفر را می‌توان با هر شلیک EUV پوشش داد، به این معنی که شلیک‌های کمتری نیاز به ثابت شدن و به طور کلی انجام شدن دارند، که به معنای تولید ارزان‌تر و کارآمدتر است.

کریستوف فوکه (Christophe Fouquet)، مدیرعامل شرکت ASML می‌گوید: «ما انتظار داریم که پذیرش فناوری High NA EUV به تدریج در امتداد نقشه راه مقیاس‌گذاری دستگاه‌ها افزایش یابد، ابتدا با استفاده از ماسک‌های ۶ اینچی فعلی و سپس با پشتیبانی بیشتر ماسک‌های ۱۲ اینچی که بهره‌وری اسکنر را افزایش داده و به صنعت اجازه می‌دهد تقاضا برای تراشه‌های کوچک‌تر، سریع‌تر و با صرفه‌جویی بیشتر در انرژی را برآورده کند. ما از حمایت اولیه قوی تولیدکنندگان نیمه‌هادی، تامین‌کنندگان ماسک و شرکا از این ابتکار خوشحالیم.»

به گفته شرکت ASML، «این تلاش با هدف ایجاد یک خط آزمایشی ماسک ۱۲ اینچی تا سال ۲۰۳۱ است و راه را برای ورود سیستم‌های لیتوگرافی 12-inch High-NA به تولید گره‌های پیشرفته تا سال ۲۰۳۳ هموار می‌کند.»

بنابراین، سال ۲۰۳۳ به عنوان هدف برای تولید تراشه با استفاده از فتوماسک‌های ۱۲ اینچی به نظر می‌رسد. اما پیش از آن، انتظار می‌رود که بازیگران بزرگ در اوج تولید High NA EUV باشند. که به زبان بسیار ساده، به این معناست که در دو یا سه سال آینده باید شاهد پذیرش گسترده فناوری توسط تراشه‌سازان باشیم که پیش از این به طور آزمایشی پذیرفته شده بود، در حالی که بسیاری از تراشه‌سازان عمدتاً روی فناوری Low NA EUV و حتی فناوری کم‌تقدم‌تر «فرابنفش عمیق» (DUV) باقی مانده‌اند.

همه این‌ها بدیهی است که اعتماد صنعت را به بازار تراشه‌سازی نشان می‌دهد که با توجه به رونق هوش مصنوعی (AI) تعجب‌آور نیست. تقاضا برای حافظه همچنان انتظار می‌رود فراتر از سال ۲۰۳۰ از ظرفیت عرضه پیشی بگیرد و پردازنده‌ها نیز تقاضای زیادی از سوی صنعت هوش مصنوعی و سرور دارند، حتی اگر این موضوع در بازار پردازنده‌های مشتری مطابقت نداشته باشد.

بنابراین، از یک سو، عالی است که صنعت متعهد به فناوری‌های جدید می‌شود. از سوی دیگر، این واقعیت که آن‌ها چنین می‌کنند با توجه به تقاضای مداوم عظیم از سوی صنعت هوش مصنوعی که به نظر می‌رسد به آرامی سمت مشتری را خشک می‌کند، تعجب‌آور نیست.


منبع: pcgamer.com

نظرات۰

برای نوشتن نظر، وارد حساب خود شوید.

ورود / ثبت‌نام

هنوز نظری ثبت نشده — اولین نفری باش که نظر می‌دهد.