شرکت سامسونگ (Samsung) در غرفه خود در رویداد «آینده حافظه و ذخیرهسازی» (Future of Memory and Storage - FMS) ۲۰۲۶ در سانتا کلارای کالیفرنیا، طیف وسیعی از فناوریهای حافظه و ذخیرهسازی را به نمایش گذاشته است.
سیزده سال پس از معرفی نخستین فناوری V-NAND، سامسونگ به عنوان نخستین شرکت، نسخه V10 از فناوری BV-NAND (مخفف Bonded V-NAND) را رونمایی کرد. این یک حافظه فلش است که دارای بیش از ۴۰۰ لایه بوده و از فناوری پیشرفته اتصال سامسونگ برای روی هم قرار دادن سلولهای حافظه بهره میبرد.
نسخه V10 چگالی حافظه را در مقایسه با نسل قبلی خود یعنی V9 حدود ۵۸ درصد افزایش میدهد. تعداد لایههای بیشتر باعث میشود که V10 عملکرد بهتر و بهینهتری در خواندن، نوشتن و ورودی/خروجی (I/O) داشته باشد. این فناوری همچنین مصرف انرژی را بهبود میبخشد...