شرکت سامسونگ (Samsung) طیف بسیار متنوعی از فناوریهای حافظه و ذخیرهسازی را در غرفه خود در رویداد آینده حافظه و ذخیرهسازی (FMS) 2026 در سانتا کلارا، کالیفرنیا به نمایش میگذارد.
سیزده سال پس از معرفی اولین فناوری V-NAND، سامسونگ اولین شرکتی است که نسل دهم فناوری BV-NAND (موسوم به Bonded V-NAND یا V10) را رونمایی میکند. این یک حافظه فلش است که دارای بیش از ۴۰۰ لایه بوده و از فناوری پیشرفته پیوند (bonding) سامسونگ برای انباشتن سلولهای حافظه بهره میبرد.
نسخه V10 چگالی حافظه را در مقایسه با نسل قبلی خود یعنی V9 حدود ۵۸ درصد افزایش میدهد. تعداد لایههای بیشتر باعث میشود که V10 عملکرد بهتر در خواندن، نوشتن و ورودی/خروجی (I/O) داشته باشد. این فناوری همچنین مصرف انرژی را بهبود میبخشد...